MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 (CXDM6053N TR)
Part Number: CXDM6053N TR
Documents / Media: datasheets CXDM6053N TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 5V
- Vgs (Max): 20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 920pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.2W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-89
- Корпус: TO-243AA
Цена по запросу